飞锃半导体申请一种半导体结构及其形成方法专利，缓解电场集中
时间：2025-08-14 13:35:56 阅读：
国家知识产权局信息显示，飞锃半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120435041A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有若干第一掺杂区；第二掺杂区，位于所述基底中，所述第二掺杂区包括第一部分和第二部分，所述第一部分包围所述若干第一掺杂区，所述第二部分与所述第一部分相连且所述第二部分的深度向远离所述第一部分的方向逐渐降低；第三掺杂区，位于所述基底中，所述第三掺杂区包括第三部分和第四部分，所述第三部分包围所述若干第一掺杂区，所述第四部分与所述第三部分相连且所述第四部分的深度向远离所述第三部分的方向逐渐降低。
天眼查资料显示，飞锃半导体有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可3个。
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