飞锃半导体申请一种半导体结构及其形成方法专利，优化半导体器件内部电场分布
时间：2025-08-14 15:07:05 阅读：
国家知识产权局信息显示，飞锃半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120435021A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有电流分散层；第一掺杂区，位于所述电流分散层的第一侧和第二侧，所述第一侧的第一掺杂区的深度向所述第一侧的方向逐渐增加，所述第二侧的第一掺杂区的深度向所述第二侧的方向逐渐增加；第二掺杂区，位于所述电流分散层的第一侧和第二侧的第一掺杂区中，所述第一侧的第二掺杂区的深度向所述第一侧的方向逐渐增加，所述第二侧的第二掺杂区的深度向所述第二侧的方向逐渐增加。
天眼查资料显示，飞锃半导体有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可3个。
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