上海华力申请一种深孔刻蚀方法专利，能得到深宽比接近甚至高于10且形貌良好的通孔
时间：2025-09-07 09:22:36 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种深孔刻蚀方法”的专利，公开号CN120527295A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种深孔刻蚀方法，属于半导体技术领域，该深孔刻蚀方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上依次形成后段介质层、氮化钛层、第三氧化层和底部抗反射涂层；在底部抗反射涂层上覆盖光阻，通过光刻光阻，以暴露出所需形成通孔的区域；通过光阻刻蚀底部抗反射涂层，并去除光阻；以剩余的底部抗反射涂层为掩膜，刻蚀第三氧化层和氮化钛层；以剩余的氮化钛层为掩膜，刻蚀后段介质层直至衬底，形成所需的通孔。通过引入氮化钛层、第三氧化层和底部抗反射涂层构成三层光刻结构层，通过分步刻蚀以及选择比的优化，能够得到深宽比接近甚至高于10且形貌良好的通孔，兼容现有的CMOS后段工艺，不需要引入特殊的机台及层次。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2404条，此外企业还拥有行政许可345个。
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