朗姆研究公司申请形成经卤素掺杂的介电膜专利，形成该经卤素掺杂的介电膜
时间：2025-08-04 23:21:01 阅读：
国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“形成经卤素掺杂的介电膜”的专利，公开号CN120390974A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一个示例提供了一种形成经卤素掺杂的介电膜的方法。该方法包含形成含有多个介电膜层的介电膜。该方法还包含在形成该介电膜后执行等离子体掺杂处理。该等离子体掺杂处理包含将含卤素前体引进等离子体中；以及将该介电膜暴露于该等离子体中从该含卤素前体产生的反应性含卤素物质，从而形成该经卤素掺杂的介电膜。
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