新存科技申请一种存储器的形成方法和研磨设备专利，有效减少和抑制残留物的生成
时间：2025-09-08 09:52:06 阅读：
国家知识产权局信息显示，新存科技有限责任公司申请一项名为“一种存储器的形成方法和研磨设备”的专利，公开号CN120545181A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体相关技术领域,提供了一种存储器的形成方法和研磨设备，其中存储器的形成方法包括：形成待处理晶圆，待处理晶圆包括基底以及位于基底表面的器件层，器件层包括多个器件结构以及隔离层，隔离层位于器件结构之间以及器件结构远离基底一侧表面；对隔离层进行第一研磨处理，直至露出器件结构；采用去离子水对暴露出的器件结构和隔离层进行第二研磨处理。本申请采用去离子水对器件结构和隔离层进行第二研磨处理，能够稀释留在基座上的抛光液的浓度，同时降低基座的表面温度，以减缓残留物的生成速率，有效减少和抑制残留物的生成，从而提升存储器的性能可靠性。
天眼查资料显示，新存科技有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息144条。
源自：