浩瀚全材申请锑化镓衬底清洗专用甩干方法专利，有效清除表面残留药剂、颗粒污染物及亚缺陷
时间：2025-09-08 07:11:40 阅读：
国家知识产权局信息显示，青岛浩瀚全材半导体有限公司申请一项名为“一个锑化镓衬底清洗专用甩干方法”的专利，公开号CN120532797A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一个锑化镓衬底清洗专用甩干方法，涉及半导体材料技术领域，具体包括以下步骤：A1，锑化镓衬底表面药液清洗：将待清洗的晶片使用专用夹具固定晶片，固定完成后放入装有清洗液的烧杯内清洗，药液清洗过程需要均匀的晃动夹具，使清洗液均匀的清洗表面，药液清洗完成后，关注疏水情况；A2，锑化镓衬底表面去离子水喷淋清洗：药液清洗完成后迅速用去离子水进行喷淋冲洗，喷淋冲洗过程保证去离子水均匀的冲洗晶片表面，去离子水清洗完成后，关注疏水情况，通过自动喷淋装置与氮气吹扫装置的联动控制，结合多步骤清洗程序，有效清除表面残留药剂、颗粒污染物及亚缺陷，使衬底表面达到无脏污、无残留的高质量标准。
天眼查资料显示，青岛浩瀚全材半导体有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛浩瀚全材半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可9个。
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