卓胜微申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利，工艺流程简单
时间：2025-08-14 14:58:48 阅读：
国家知识产权局信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN120435223A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述半导体结构的制备方法包括：步骤一、在半导体衬底上依次沉积形成第一电极层、第一导电层、中间介质层、第二导电层、第二电极层；步骤二、在所述第二电极层形成第一掩膜；步骤三、以所述第一掩膜进行遮挡对所述第二电极层进行刻蚀，形成第二电极；步骤四、以所述第一掩膜和所述第二电极作为遮挡对所述第二导电层、所述中间介质层、所述第一导电层进行刻蚀，形成第二极板、中间介质、第一极板；步骤五、去除所有的光刻胶，得到所述半导体结构。
天眼查资料显示，江苏卓胜微电子股份有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本53454.7532万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目56次，财产线条，此外企业还拥有行政许可40个。
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