南亚科技申请半导体结构专利，提供一种特殊结构的半导体
时间：2025-08-14 14:58:35 阅读：
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号 CN120434994A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一第一掩埋栅极结构和一第二掩埋栅极结构。该基底具有一阵列区与一周围区。该第一掩埋栅极结构从该基底的一第一表面沿着一第一方向而延伸到该基底中并且设置在该阵列区中。该第二掩埋栅极结构从该基底的该第一表面沿该第一方向而延伸到该基底中并设置在该周围区中。该第一掩埋栅极结构的一深度小于该第二掩埋栅极结构沿该第一方向的一深度。
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