IBM申请用于磁阻随机存取存储器器件的反应性串行电阻降低专利，导电氧化物层具有相对较低的电阻
时间：2025-08-02 20:42:45 阅读：
国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“用于磁阻随机存取存储器器件的反应性串行电阻降低”的专利，公开号CN120380884A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，公开了一种磁阻器件，其包括：位于半导体衬底上的晶体底部电极层；位于晶体底部电极层上方的晶体金属层；位于晶体金属层上方的导电氧化物层；以及位于导电氧化物层上方的磁性隧道结结构。导电氧化物层具有相对较低的电阻，可通过退火工艺形成，该退火工艺使沉积在非晶反应材料层上的绝缘氧化物层发生反应。
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