NEO半导体申请3D单元和阵列结构及工艺专利，公开了各种3D单元、阵列结构及工艺
时间：2025-08-05 02:03:11 阅读：
国家知识产权局信息显示，NEO半导体公司申请一项名为“3D单元和阵列结构及工艺”的专利，公开号CN120390958A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，公开了各种3D单元、阵列结构及工艺。在一个实施例中，提供了一种存储器单元结构，包括：垂直位元线；围绕垂直位元线的第一部分的绝缘体；围绕绝缘体和垂直位元线的第二部分的连续半导体层；和围绕连续半导体层的导体材料的延伸部分。该存储器单元结构还包括：围绕导体材料的延伸部分的第一介电层；围绕第一介电层的第一导体层；围绕第一导体层的第二导体层；在第一导体层和第二导体层的顶表面上的第二介电层；在第一导体层和第二导体层的底表面上的第三介电层；在所述第二介电层的顶表面上的第一栅极；和在所述第三介电层的底表面上的第二栅极。
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