济南晶正电子申请适用于表面不平整晶圆薄膜制备方法专利，可减少离子注入工艺的复杂度
时间：2025-08-05 02:02:45 阅读：
国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种适用于表面不平整晶圆的薄膜制备方法”的专利，公开号CN120388884A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体涉及适用于表面不平整晶圆的薄膜制备方法，包括以下步骤：准备初始晶圆，所述初始晶圆具有相对的第一表面和第二表面；获取所述初始晶圆的厚度分布数据，对所述初始晶圆预设离子注入基准面；基于所述厚度分布数据和离子注入基准面，获取所述初始晶圆的第一表面不同位置处的待剥离厚度；基于所述待剥离厚度的最大值，确定离子注入能量；在所述初始晶圆的第一表面上制备阻隔层；以所述离子注入能量经由阻隔层对所述初始晶圆进行离子注入，将离子注入到离子注入基准面处，得到离子注入晶圆；对所述离子注入晶圆自离子注入基准面处进行剥离处理，得到具有剥离面的剥离晶圆；对所述剥离晶圆的剥离面进行抛光处理，得到所述薄膜。本发明制备方法适用于由表面不平整晶圆制备薄膜，即使晶圆表面不平整，也可采用恒定的离子注入能量进行离子注入，注入离子可以集中在预设的离子注入基准面，受热剥离后表面状态好，厚度均匀性优异，相比于离子注入时初始晶圆不同位置采用不同离子注入能量，可减少离子注入工艺的复杂度。
天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2916.3031万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目87次，财产线条，此外企业还拥有行政许可21个。
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