锐立平芯微电子申请具有低K侧墙的全耗尽型绝缘体上半导体器件及其制造方法专利，防止氧向栅极的扩散
时间：2025-08-03 15:29:28 阅读：
国家知识产权局信息显示，锐立平芯微电子有限责任公司申请一项名为“具有低K侧墙的全耗尽型绝缘体上半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120390452A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请提供了一种具有低K侧墙的全耗尽型绝缘体上半导体器件及其制造方法。该FDSOI器件可以包括SOI衬底、SOI衬底上的栅极、栅极的侧壁上的侧墙以及SOI衬底上栅极相对两侧的源/漏区。侧墙包括第一子层以及第一子层上的第二子层。第二子层包括氧碳氮化硅。第一子层介于第二子层与栅极之间以防止氧向所述栅极的扩散。
天眼查资料显示，锐立平芯微电子有限责任公司，成立于2022年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238888.888889万人民币。通过天眼查大数据分析，锐立平芯微电子有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可11个。
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