江苏芯德半导体申请晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法专利，导热效果显著提高
时间：2025-08-31 03:28:49 阅读：
国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法”的专利，公开号CN120511238A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法，该封装结构中将主芯片和砷化镓芯片通过重布线层实现平面互联，在砷化镓芯片背面涂覆有高导热/或高导热散热胶/或贴有高导热DAF膜与上方的高导热晶片粘贴，形成高密度的互联重构芯片，重构芯片通过金属凸点与基板焊接互联，在基板与重构芯片顶部盖有散热盖，或者在基板上贴装散热环同时在重构芯片顶部盖有散热鳍片，使散热盖或散热鳍片与高导热晶片直接粘接接触，砷化镓芯片经高导热晶片、散热盖或散热鳍片将内部热量传导出去。
天眼查资料显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95906.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线条，此外企业还拥有行政许可40个。
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