哈工大等申请基于纳米厚度钨与高扩散金属的易解键合层专利，实现芯片外延层与临时载片的无损解键合
时间：2025-08-31 03:28:38 阅读：
国家知识产权局信息显示，哈尔滨工业大学、哈工大郑州研究院、河南碳真芯材科技有限公司申请一项名为“一种基于纳米厚度钨与高扩散金属的易解键合层及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120511230A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，一种基于纳米厚度钨与高扩散金属的易解键合层及其制备方法和应用，本发明是要解决现有的临时键合胶层存在着平整度难以控制导致晶圆对表面过度翘曲、粘结强度不足等缺陷。本发明易解键合层由两层第一金属膜层夹有第二金属膜层组成，在功能性晶圆和临时载体晶圆的预键合处分别沉积有第一金属膜层，第一金属膜层的材质为钨，所述第二金属膜层为单层金属膜或者多层金属膜，第二金属膜层中的每层金属膜的材质为熔点小于钨的单质金属。本发明转移方法采用湿法化学浸泡法，经双氧水与钨发生氧化还原反应即可实现芯片外延层与临时载片的无损解键合，有效避免转移过程中激光和应力对外延层薄膜造成的损伤，同时该键合层具有良好的粘结强度和耐高温能力。
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