广东芯成汉奇半导体申请3D堆叠芯片等制作方法专利，有效增强多个芯片堆叠时的键合强度和可靠性
时间：2025-08-13 09:45:06 阅读：
国家知识产权局信息显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司申请一项名为“3D堆叠芯片、金属互连结构制作方法及3D堆叠芯片”的专利，公开号CN120432390A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种3D堆叠芯片的制作方法、3D堆叠芯片的金属互连结构制作方法，以及3D堆叠芯片，通过在bump层上镀上一层CoX合金层作为焊接强化层，有效增强多个芯片堆叠时的键合强度和可靠性。该金属互连结构制作方法包括：在芯片的正面和/或背面制备bump层；在所述bump层上制备一层CoX合金材料的焊接强化层，X为元素La、Ce中一种或多种的稀土元素。其中，3D堆叠芯片的制作方法包括：将多个正面和/或背面制备有bump层和焊接强化层的芯片位置相对地依次堆叠在一起，将相邻芯片的焊接强化层接触并焊接在一起。与现有技术相比，本发明通过在bump层上镀上一层CoX合金层作为焊接强化层，有效增强多个芯片堆叠时的键合强度和可靠性。
天眼查资料显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司，成立于2023年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯成汉奇半导体技术有限公司参与招投标项目15次，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可28个。
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