锐立平芯微电子申请一种制造侧墙的方法和半导体器件专利 可应用于半导体技术领域
时间：2025-08-03 20:54:09 阅读：
国家知识产权局信息显示，锐立平芯微电子有限责任公司申请一项名为“一种制造侧墙的方法和半导体器件”的专利，公开号CN120390446A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种制造侧墙的方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该制造侧墙的方法包括：在衬底上形成栅极；在栅极的侧壁上形成牺牲侧墙；在侧壁上形成有牺牲侧墙的栅极的相对两侧，形成源/漏区，源/漏区的顶面低于栅极的顶面，其中，牺牲侧墙介于栅极与源/漏区之间；选择性去除牺牲侧墙，以释放栅极与源/漏区之间的空间；以及在衬底上沉积电介质材料，电介质材料部分地填充空间，且在空间中留有气隙，气隙的顶部低于源/漏区的顶面。
天眼查资料显示，锐立平芯微电子有限责任公司，成立于2022年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238888.888889万人民币。通过天眼查大数据分析，锐立平芯微电子有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可11个。
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