安徽晶微科技申请解决晶粒内线宽均匀性的方法专利，确定光刻流程的批量生产的优化参数和优化工艺
时间：2025-08-28 11:27:41 阅读：
国家知识产权局信息显示，安徽晶微科技有限公司申请一项名为“解决晶粒内线宽均匀性的方法”的专利，公开号CN120491391A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种解决晶粒内线宽均匀性的方法包括步骤：S1，提供两张光刻流程前的产品片；S2，涂胶，包括子步骤：采用气相方式在各产品片的表面形成HMDS膜；表面形成HMDS膜的各产品片在冷却槽中冷却至匀胶所需的温度；各产品片在匀胶工艺槽旋涂匀胶，两产品片各旋涂分辨率不同的胶；旋涂匀胶后的各产品片在前烘工艺槽中进行前烘；S3，曝光，两张涂胶片采用多个分布的晶粒构成晶圆的版图曝光，以得到两张曝光片；S4，显影，两张曝光片采用相同显影条件显影，以得到两张显影片；S5，观察并收集选定晶粒的关键尺寸的线宽，选定晶粒在其多个区域内收集线宽，确定两种胶对晶粒内关键尺寸的线宽均匀性的影响并确定光刻流程的批量生产的优化参数和优化工艺。
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