上海积塔半导体取得预防离子注入机吸极打火相关专利 显著提高机台的稳定性
时间：2025-08-24 22:52:48 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“预防离子注入机吸极打火的装置、离子源腔体结构及离子注入设备”的专利，授权公告号CN223230302U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本申请涉及一种预防离子注入机吸极打火的装置、离子源腔体结构及离子注入设备，所述装置包括：收纳隔板，所述收纳隔板安装在离子源外的法兰上，且所述收纳隔板的本体位于法兰圆筒区段和离子源外围的绝缘衬套之间，所述收纳隔板的位置与法兰圆筒区段上开设的通孔位置相对应，其中：所述法兰圆筒区段上开设的通孔贯穿至离子源的腔室内部，用于排出离子源的腔室内部所产生的沉积物；所述收纳隔板，用于收纳从离子源的腔室掉落下来的沉积物。从而可以有效地收纳工艺过程中离子源腔室产生的淀积物，避免沉积物掉落在绝缘衬套上，杜绝吸极打火的现象，显著提高了机台的稳定性，保证了产品的质量。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1849次，财产线条，此外企业还拥有行政许可193个。
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