华为申请半导体器件及其制备方法等相关专利，改善存储阵列和外围逻辑器件电性差异
时间：2025-08-10 16:51:55 阅读：
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储器、芯片、电子设备”的专利，公开号CN120417366A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，用于改善存储阵列和外围逻辑器件电性差异。半导体器件包括衬底、第一鳍、第一栅极、第二鳍、第二栅极和功函数层。衬底包括N型掺杂区和P型掺杂区。第一栅极跨设于第一鳍上，第一鳍和第一栅极均设置于衬底的N型掺杂区上。第二栅极跨设于第二鳍上，第二鳍和第二栅极均设置于衬底的P型掺杂区上。第一栅极和第二栅极连接。功函数层包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分覆盖第一鳍的顶面和侧面，第二部分覆盖第二鳍的顶面和侧面，第三部分位于第一鳍和第二鳍之间。第三部分的功函数大于第二部分的功函数，第二部分的功函数大于第一部分的功函数。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1516个。
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