朗姆研究申请3D NAND制造阶梯封装专利 防止氧化物-氧化物界面退化
时间：2025-08-10 16:51:29 阅读：
国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“3D NAND制造中的阶梯封装”的专利，公开号CN120417383A，申请日期为2017年11月。
专利摘要显示，提供了用于在制造3D NAND结构期间在阶梯结构上沉积封装层以防止氧化物-氧化物界面退化并防止字线穿通的方法和装置。封装层是在将氧化物沉积在阶梯结构上之前沉积在交替的氧化物层和氮化物层的阶梯结构上的含碳保形膜。
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