晋华集成申请半导体器件及其制作方法专利，改善半导体器件的结构缺陷
时间：2025-08-09 02:18:17 阅读：
国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN120417377A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、至少一第一插塞、至少一接触垫、覆盖层以及金属氧化物层。至少一第一插塞设置在衬底上。至少一接触垫设置在第一插塞上并物理性接触至少一第一插塞。覆盖层设置在至少一接触垫的顶面和侧壁上。金属氧化物层设置在至少一接触垫的侧壁上的覆盖层上，其中，金属氧化物层的最顶点低于覆盖层的最顶点，且金属氧化物层的最低点高于至少一第一插塞的最低点。如此，借助金属氧化物层的设置改善半导体器件的结构缺陷，避免至少一接触垫与邻近的金属互连线之间衍生可能的短路问题。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目560次，财产线条，此外企业还拥有行政许可75个。
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