合肥晶合集成电路申请半导体器件及其制作方法专利，简化制作工艺
时间：2025-08-07 08:02:08 阅读：
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN120417470A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成栅极结构；在衬底和栅极结构侧壁上形成修复氧化层并进行垂直刻蚀，保留栅极结构侧壁上的修复氧化层；在栅极结构两侧的衬底内依次形成自下而上的轻掺杂区、过渡区和重掺杂区；在衬底上形成全覆盖的第一刻蚀停止层并刻蚀形成开口；在开口内形成补偿外延层；去除第一刻蚀停止层，至少金属化处理补偿外延层和衬底，形成金属硅化物层；再形成第二刻蚀停止层和层间介质层，并刻蚀至金属硅化物层，形成连接孔；在连接孔内形成导电插塞。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目629次，财产线条，此外企业还拥有行政许可21个。
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