英德赛申请亚微米级氮化硅粉体的制备方法专利，获得高分散性、亚微米级氮化硅粉体
时间：2025-08-05 06:21:18 阅读：
国家知识产权局信息显示，浙江英德赛半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法”的专利，公开号CN120383482A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明属于无机非金属材料技术领域，具体公开了一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：1)在非晶氮化硅粉末中添加表面改性剂、α相氮化硅晶种及溶剂，进行研磨，制得混合物；表面改性剂包括有机表面活性剂、无机表面改性剂和高分子表面改性剂；2)将得到的混合物进行干燥和粉碎；3)将干燥后的混合物粉末在惰性和还原性气氛下，进行结晶焙烧，得到α相氮化硅结晶粉末。本发明使非晶氮化硅和α相氮化硅晶种研磨更充分，混合效果更好。表面改性后的非晶氮化硅粉体的晶化焙烧温度降低，获得的氮化硅粉体具有高分散性、亚微米级的特点。
天眼查资料显示，浙江英德赛半导体材料股份有限公司，成立于2011年，位于嘉兴市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8031.3万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江英德赛半导体材料股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目30次，财产线条，此外企业还拥有行政许可40个。
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