石家庄铁道大学等申请抗过流双柔性缓冲层封装SiC MOSFET器件专利，降低SiC MOSFET芯片的温度
时间：2025-09-08 11:08:30 阅读：
国家知识产权局信息显示，石家庄铁道大学;北京全路通信信号研究设计院集团有限公司申请一项名为“一种抗过流双柔性缓冲层封装SiC MOSFET器件”的专利，公开号CN120545267A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明属于功率半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种抗过流双柔性缓冲层封装SiC MOSFET器件，本发明中，通过在SiC MOSFET芯片的上下两侧分别设置上缓冲层以及下缓冲层，在上缓冲层与下缓冲层相互远离的一侧分别设置上DBC基板以及下DBC基板，上缓冲层、下缓冲层、上DBC基板以及下DBC基板能够提供良好的热导率和电气性能，同时保证热‑机械可靠性，从而更好的将SiC MOSFET芯片产生的热量散出，降低SiC MOSFET芯片的温度，提高功率模块的可靠性。同时，双面散热结构取消了引线键合而使用上缓冲层以及下缓冲层来承担电流流动，大大减小了模块的寄生电感和模块的体积。
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