晶合集成申请用于SRAM分析的模型生成方法专利，提高预测产出率的精确度
时间：2025-09-03 09:45:03 阅读：
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“用于SRAM分析的模型生成方法”的专利，公开号CN120524894A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于SRAM分析的模型生成方法，属于半导体技术领域，所述方法包括：获取实测值数据集，并根据实测值数据集中的阈值电压计算出三维分布协方差矩阵，进而计算出三维马氏距离；根据被指定的概率值在三维空间内确定等概率椭圆体，并提取存位于等概率椭圆体表面的等概率数据集；根据实测值数据集中的阈值电压以及漏极电流计算出二维分布协方差矩阵，进而计算出二维马氏距离；根据被指定的概率值在二维平面内确定出等概率椭圆，并在等概率椭圆上确定出对应的漏极电流；根据等概率数据集中的阈值电压和在等概率椭圆上确定出的漏极电流计算出偏移值。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线条，此外企业还拥有行政许可21个。
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