苏州聚谦半导体申请一种硅基电容器及其制造方法专利，在减薄衬底厚度的同时避免应力问题
时间：2025-08-16 12:52:29 阅读：
国家知识产权局信息显示，苏州聚谦半导体有限公司申请一项名为“一种硅基电容器及其制造方法”的专利，公开号CN120456570A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种硅基电容器及其制造方法，包括：提供硅基电容基础器件，所述硅基电容基础器件包括具有沟槽的衬底和位于沟槽内的上电极结构；利用湿法刻蚀工艺，消减硅基电容基础器件的衬底，以得到半成品器件；在半成品器件背离上电极结构的一侧形成下电极结构，以得到硅基电容器。通过湿法刻蚀工艺消减衬底厚度，能够在减薄衬底厚度的同时避免应力问题，保证器件结构的稳定性，同时通过在半成品器件背面形成的下电极结构提供高频性能，解决了如何在保证高频性能的同时，有效缩减硅基电容器的厚度的问题。
天眼查资料显示，苏州聚谦半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州聚谦半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线条，此外企业还拥有行政许可6个。
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