中电化合物半导体申请碳化硅晶体的制备方法及碳化硅晶体专利，制得的碳化硅晶体颜色均匀
时间：2025-08-29 07:41:58 阅读：
国家知识产权局信息显示，中电化合物半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体的制备方法及碳化硅晶体”的专利，公开号CN120485956A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体的制备方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长技术领域。制备方法包括：提供碳化硅晶体生长装置，生长装置包括坩埚和上盖；将碳化硅原料放置在坩埚的内腔中，将籽晶固定在上盖朝向内腔的一侧；将上盖与坩埚组装并将碳化硅晶体生长装置置于碳化硅晶体生长设备中；向坩埚内通入氮气和保护气体的混合气体，调整生长装置内的温度和压力，生长碳化硅晶体；生长结束通入保护气体，冷却至室温得到碳化硅晶体；将籽晶固定在上盖朝向内腔的一侧之前，还包括对籽晶进行周期性刻蚀，在籽晶的表面形成平行排列的多个凹槽的过程。
天眼查资料显示，中电化合物半导体有限公司，成立于2019年，位于宁波市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。通过天眼查大数据分析，中电化合物半导体有限公司参与招投标项目447次，财产线条，此外企业还拥有行政许可14个。
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