澳柯玛云联申请西格玛沟槽及其半导体器件的制作方法专利 减小电阻提高器件性能
时间：2025-08-19 18:41:50 阅读：
国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“西格玛沟槽及其半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN120475764A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种西格玛沟槽及其半导体器件的制作方法，所述西格玛沟槽的制作方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；进行各向异性干法刻蚀，在源漏区内形成第一沟槽；进行各向同性化学反应，反应结束之后升高温度使得反应产物升华，在第一沟槽内形成第二沟槽，第二沟槽侧壁顶部位于栅极结构的底部，在栅极结构的底部形成底切；进行湿法刻蚀，在第二沟槽内形成西格玛沟槽。本发明通过采用各向异性干法刻蚀、各向同性化学反应以及湿法刻蚀三个步骤形成的西格玛沟槽，其侧壁顶部位于所述栅极结构底部，在所述栅极结构底部形成底切，从而使得源漏区之间的直线距离变短，从而减小电阻，提高器件性能。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可4个。
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