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爱思开海力士申请半导体器件及其操作和制造方法专利，本公开涉及半导体器件、半导体器件的操作方法和其制造方法
时间：2025-08-14 15:03:18 阅读：
国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件的操作方法和其制造方法”的专利，公开号CN120435220A，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件、半导体器件的操作方法和其制造方法。晶体管可以包括可变电阻层、形成在可变电阻层的底部以调节晶体管的阈值电压的第一电极、以及形成在可变电阻层的两端以形成电流路径的第二电极和第三电极。
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