远山新材料取得蓝宝石衬底GaN HEMT外延片专利，增加二维电子气浓度和二维电子气迁移率
时间：2025-08-13 13:58:16 阅读：
国家知识产权局信息显示，远山新材料科技有限公司取得一项名为“蓝宝石衬底GaN HEMT外延片”的专利，授权公告号CN223195063U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请公开蓝宝石衬底GaN HEMT外延片，包括蓝宝石衬底以及依次堆叠生长在所述蓝宝石衬底表面的溅射薄膜层、缓冲层、不掺杂GaN主体层、高温InAlN层和高温AlGaN层，其中所述缓冲层为循环往复N次的低温InAlN层和低温多晶GaN层，其中所述低温InAlN层靠近所述溅射薄膜层，且N大于等于4，并小于等于8。
天眼查资料显示，远山新材料科技有限公司，成立于2017年，位于济宁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22220万人民币。通过天眼查大数据分析，远山新材料科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线条，此外企业还拥有行政许可1个。
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