上海华力申请减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷方法专利，减少膜层刻蚀完成后形成于晶圆表面的棒状颗粒缺陷
时间：2025-08-13 09:51:47 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷的方法”的专利，公开号CN120432375A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷的方法，包括：步骤一、在刻蚀腔内部暴露的表面形成零件涂层。步骤二、将形成有第一膜层的晶圆放置在静电卡盘上并通过静电吸附固定，之后完成第一膜层的刻蚀工艺。步骤三、进行晶圆释放，晶圆释放过程中，用于提供静电的直流电压逐渐降低到0V，在晶圆释放过程中同时加入第一交流射频电压，第一交流射频电压在刻蚀腔中开启等离子体，用于减少从晶圆背面扬起到晶圆正面上方的副产物的颗粒掉落到晶圆的正面。步骤四、加入第二交流射频电压进行电荷释放以将静电卡盘的电荷全部去除，第二交流射频电压在刻蚀腔中开启等离子体。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2362条，此外企业还拥有行政许可344个。
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