罗姆申请SiC半导体装置专利，SiC半导体装置包括第一SiC层等结构
时间：2025-08-11 18:56:49 阅读：
国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120419307A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，SiC半导体装置包括：第一SiC层；层叠于上述第一SiC层之上的第二SiC层；形成于上述第一SiC层内的p型的第一杂质区域；形成于上述第二SiC层内的p型的第二杂质区域；以使上述第一杂质区域的导电型反转的方式在上述第一SiC层内空出间隔地形成的n型的多个第一反转柱；以及以使上述第二杂质区域的导电型反转的方式在上述第二SiC层内空出间隔地形成的n型的多个第二反转柱。
源自：