上海华力申请金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件专利，抑制半导体器件的结漏电流效应
时间：2025-08-10 16:40:36 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN120417391A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供了一种金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件，属于半导体领域。该金属硅化物阻挡层的形成方法包括提供一半导体衬底。形成金属硅化物阻挡层。对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，形成窗口，所述窗口暴露出所述第一栅极结构及其两侧的源漏区和第二栅极结构及其两侧的源漏区；对暴露出的所述金属硅化物阻挡层进行干法刻蚀。对干法刻蚀之后的所述金属硅化物阻挡层进行湿法刻蚀。本发明通过增加金属硅化物阻挡层沿横向方向的宽度，有效减小NiSi向第二栅极结构扩散，增大了NiSi到第二栅极结构的距离，从而抑制半导体器件的结漏电流效应效应，改善半导体器件存储单元之间由于漏电流产生的干扰，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2359条，此外企业还拥有行政许可344个。
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