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川土微电子取得降低导通不均难度的多指GGNMOS结构专利

时间：2025-08-04 21:41:56 阅读：

　　国家知识产权局信息显示，上海川土微电子有限公司取得一项名为“一种多指GGNMOS结构”的专利，授权公告号CN120187108B，申请日期为2025年05月。

　　天眼查资料显示，上海川土微电子有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1902.787万人民币。通过天眼查大数据分析，上海川土微电子有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目18次，财产线条，此外企业还拥有行政许可3个。

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