华虹半导体申请高介电常数金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法专利，实现了在高电容密度和高可靠性之间的良好平衡与优化
时间：2025-08-26 09:55:34 阅读：
国家知识产权局信息显示，华虹半导体有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“高介电常数金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法”的专利，公开号CN120500057A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种高介电常数金属‑绝缘体‑金属电容器，包括衬底；形成在衬底上的底部金属电极；形成在底部金属电极上的介质层；以及形成在介质层上的顶部金属电极；其中，介质层为包含N个基本单元的纳米薄层结构，N为大于1的整数，每个基本单元包括依次堆叠的第一高介电常数材料层、第二高介电常数材料层和第一高介电常数材料层。本发明实现了在高电容密度和高可靠性之间的良好平衡与优化，整体性能优于传统的单层或简单三明治结构。
天眼查资料显示，华虹半导体有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目915次，财产线条，此外企业还拥有行政许可431个。
源自：