意法半导体取得垂直功率部件和设备专利，涉及垂直功率部件相关结构
时间：2025-08-21 12:55:55 阅读：
国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“垂直功率部件和设备”的专利，授权公告号CN223219396U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本描述涉及垂直功率部件，该垂直功率部件形成在掺杂有第一导电类型的半导体基板中和半导体基板上，并且该半导体基板的上侧涂覆有掺杂有第一导电类型的半导体层。该部件包括：有源区域；以及包围有源区域的第一组和第二组第一同心场限制环。每个第一环包括掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体区域，该第一半导体区域从半导体层的上侧垂直延伸到半导体层的厚度中；以及第二场限制环，其横向插入在第一组与第二组第一场限制环之间。第二环包括第二导电类型的第二掺杂的半导体区域，该第二掺杂的半导体区域从半导体层的上面垂直延伸到半导体层的厚度中。第二半导体区域的宽度是最宽的第一半导体区域的宽度的至少三倍大。
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