齐力半导体申请一种硅基替代金属导热的散热盖专利，热导率提升
时间：2025-08-16 15:52:28 阅读：
国家知识产权局信息显示，齐力半导体有限公司申请一项名为“一种硅基替代金属导热的散热盖”的专利，公开号CN120453246A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种硅基替代金属导热的散热盖，包括：覆盖在倒装芯片上的高导热材料层和硅基高导热盖板，所述高导热材料层位于倒装芯片、硅基高导热盖板之间，所述倒装芯片、高导热材料层和硅基高导热盖板的外围通过塑封材料包围，且硅基高导热盖板的上表面与塑封材料的上表面齐平。S1：倒装上芯；S2：底部填充；S3：高导热材料贴盖；S4：塑封。使用硅基代替金属散热盖，热导率提升，厚度减薄，将硅基材料直接贴在发热源进行接触式散热；改变工作流程由FC—UF—MOLD—LA改为FC—UF—HSLA—OPEN MOLD。
天眼查资料显示，齐力半导体有限公司，成立于2023年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1464.473684万人民币。通过天眼查大数据分析，齐力半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1个。
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