罗姆申请SiC半导体装置专利，能包括设定于主面内方部的活性区域

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　　国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120457786A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，SiC半导体装置包括：第一导电型的SiC层，其具有主面；活性区域，其设定于上述主面的内方部；外周区域，其设定于上述主面的周缘部；以及第二导电型的柱区域，其在沿上述主面的水平方向上空出间隔地形成于上述SiC层内，包括位于上述活性区域以及上述外周区域双方的多个杂质区域。

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