扬杰科技取得延长短路耐受时间的SiC晶体管专利，提高了器件的使用可靠性
时间：2025-08-12 05:57:09 阅读：
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“延长短路耐受时间的SiC晶体管”的专利，授权公告号CN223195064U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，延长短路耐受时间的SiC晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的SiC Sub层、SiC Drift层、N区、隔离介质层和正面电极金属层；所述SiC Drift层内设有从顶面向下延伸的P区；所述N区上设有：Pwell区，从所述N区的顶面向下延伸；NP区，从所述Pwell区的顶面向下延伸；栅氧化层，截面呈U形结构，从所述NP区的顶面向下延伸至P区内；Poly层，填充在所述栅氧化层内；所述隔离介质层的底面分别与NP区、栅氧化层和Poly层连接，侧部设有与所述NP区连接的正面欧姆接触合金层。本实用新型避免沟道底部拐角栅氧化层的提前击穿失效，提高了器件的使用可靠性。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目185次，财产线条，此外企业还拥有行政许可234个。
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