舍弗勒申请通过铸造获得的热耗散器和关联的半导体装配件专利，一种具有特殊结构的热耗散器
时间：2025-08-11 03:51:44 阅读：
国家知识产权局信息显示，舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“通过铸造获得的热耗散器和关联的半导体装配件”的专利，公开号CN120418957A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种热耗散器，具有：基底，其旨在与待冷却的电子设备热接触；冷却鳍片，其沿着主方向延伸并且具有至少一个顶杆。在该耗散器中，与相邻的两个鳍片对应的两个顶杆被偏移，即它们不是关于鳍片的主方向相面对的，并且在至少一个顶杆附近，与关联于所述顶杆的鳍片相邻的鳍片具有起伏，起伏具有被布置成面对所述顶杆的凹区域。
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