中欣晶圆申请去除硅片内金属杂质外吸杂方法等专利，解决现有技术无法进行高效的硅片去杂的技术问题
时间：2025-08-09 09:08:58 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种去除硅片内金属杂质的外吸杂方法、系统及设备”的专利，公开号CN120395700A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及硅片处理技术领域，公开了一种去除硅片内金属杂质的外吸杂方法及系统。包括：获取二氧化硅原料，采用高纯电磁制备方法制备得到高纯二氧化硅砂料；采用所述高纯度二氧化硅砂料对硅片进行喷砂处理，在硅片表面形成从中心到边缘梯度递增的损伤层；对所述梯度损伤层进行热力电多场耦合处理，逐步降低硅片体内的金属杂质浓度，完成去杂处理。可以至少用以解决现有技术无法进行高效的硅片去杂的技术问题。
天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目19次，财产线条，此外企业还拥有行政许可76个。
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